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J-GLOBAL ID：201102203926115713   Reference number：11A0866293

MoO₃ as a Cathode Buffer Layer Material for the Improvement of Planar pn-Heterojunction Organic Solar Cell Performance

プレーナpn-ヘテロ接合有機太陽光電池性能の改良のための陰極バッファ層材としてのMoO₃

Author (4)： KAGEYAMA Hiroshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAJII Hirotake (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OHMORI Yutaka (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIROTA Yasuhiko (Fukui Univ. Technol., Fukui, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 3  Page： 032301.1-032301.3  Publication year： Mar. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *planar structure(device) ,  PN junction ,  *organic semiconductor ,  *solar cell ,  buffer layer ,  molybdenum oxide ,  electrode ,  quenching(light) ,  energy conversion efficiency ,  P-type semiconductor

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Reference (16)：

• HEYWANG, G. Adv. Mater. 1992, 4, 116
• ROMAN, L. S. Adv. Mater. 1998, 10, 774
• SHROTRIYA, V. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 073508
• KINOSHITA, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 243309
• TOKITO, S. J. Phys. D. 1996, 29, 2750

Terms in the title (5)： プレーナ ,  ヘテロ接合 ,  太陽光電池 ,  陰極 ,  バッファ層