Art

J-GLOBAL ID：201102205146666249   Reference number：11A1179436

Field Effect Transistors based on Organic Semiconductors and Graphene

有機半導体とグラフェンをベースにした電界効果トランジスタ

Author (7)： TANIGAKI Katsumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Susumu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NOUCHI Ryo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAN Wang (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FAN Xiaoyan (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUMASHIRO Ryotaro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MITOMA Nobuhiko (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Proceedings of the International Display Workshops  (IDW)
Volume： 17th  Issue： Vol.3  Page： 1817-1820  Publication year： 2010 
JST Material Number： L4269A  ISSN： 1883-2490  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  monolayer ,  *organic semiconductor ,  coherence ,  carrier mobility ,  spin-orbit interaction ,  *graphene ,  spin coherence
Semi thesaurus term： spin-orbit interaction ,  field effect transistor

JST classification (2)： Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 有機半導体 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ