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J-GLOBAL ID：201102205764700008   Reference number：11A1491840

各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較

Author (4)： HASEGAWA KEI (東理大 院) ,  HONMA TAKAHIRO (東理大 院) ,  HARA SHINSUKE (東理大 院) ,  FUJISHIRO HIROKI (東理大 院)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 72nd  Page： ROMBUNNO.2A-H-11  Publication year： Aug. 16, 2011 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *material ,  Monte Carlo method ,  *current-voltage characteristic ,  electric current ,  voltage ,  band structure ,  plasmon ,  phonon
Semi thesaurus term： gate voltage ,  *チャネル材料 ,  drain current

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： チャネル材 ,  微細 ,  MOSFET