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J-GLOBAL ID：201102206299017130   Reference number：11A0084398

V-grooved InGaAs quantum-wire FET fabricated under an As-2 flux in molecular-beam epitaxy

分子線エピタキシーでAs-2フラックス下で作られるV型みぞ付InGaAs量子細線電界効果トランジスタ

Author (6)： SUGAYA T ,  JANG KY ,  WADA T ,  SATO A ,  OGURA M ,  KOMORI K
Material： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Volume： 251  Issue： 1-4  Page： 843-847  Publication year： 2003 
JST Material Number： O3553A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： 分子線エピタキシー ,  フラックス ,  みぞ付 ,  InGaAs ,  量子細線 ,  電界効果トランジスタ