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J-GLOBAL ID：201102209444191771   Reference number：11A0137193

Effect of tellurium deposition rate on the properties of Cu-In-Te based thin films and solar cells

Cu-In-Te系薄膜と太陽電池の特性におけるテルル蒸着速度の効果

Author (2)： MISE Takahiro (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...) ,  NAKADA Tokio (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 314  Issue： 1  Page： 76-80  Publication year： Jan. 01, 2011 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *solar cell ,  rate of sedimentation ,  *MBE growth ,  optical absorption spectrum ,  electron microscopy ,  X-Ray Diffraction ,  *indium compound ,  telluride (chalcogenide) ,  *copper compound ,  current-voltage characteristic ,  preferred orientation ,  micro structure ,  *semiconductor thin film ,  *deposition rate ,  film solar cell
Semi thesaurus term： molecular beam epitaxy

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： Cu ,  Te ,  薄膜 ,  太陽電池 ,  テルル ,  蒸着速度