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J-GLOBAL ID：201102213184499138   Reference number：11A0646179

Mechanism of Photoluminescence Quenching of InGaAs/GaAs Quantum Dots Resulting from Nanoprobe Indentation

ナノプローブインデンテーションに起因するInGaAs/GaAs量子ドットの光ルミネセンス消光の機構

Author (6)： XU Lixia (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  ARAI Yoshio (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  OZASA Kazunari (RIKEN, Saitama, JPN) ,  KAKOI Hiroki (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  LIANG Yuan-Hua (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  ARAKI Wakako (Saitama Univ., Saitama, JPN)
Material： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (J Nanoscience Nanotechnology)
Volume： 11  Issue： 1  Page： 106-114  Publication year： Jan. 2011 
JST Material Number： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,  *photoluminescence ,  *quenching(light) ,  nanoindentation ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *gallium arsenide ,  *indium gallium arsenide ,  *heterojunction
Semi thesaurus term： ナノプローブインデンテーション

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 起因 ,  InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  光ルミネセンス ,  消光