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J-GLOBAL ID：201102215193963001   Reference number：11A0852869

Nanofabrication of GaN surfaces by ultrashort laser pulses

超短レーザパルスによるGaN表面のナノ製造

Author (6)： NAKASHIMA Seisuke (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SUGIOKA Koji (RIKEN, Saitama, JPN) ,  ITO Takuma (RIKEN, Saitama, JPN) ,  ITO Takuma (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKAI Hiroshi (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  MIDORIKAWA Katsumi (RIKEN, Saitama, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 7996  Page： 79960G.1-79960G.12  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  laser ablation ,  *pulsed laser irradiation ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  periodic structure ,  chemistry ,  *nanostructure ,  laser pulse
Semi thesaurus term： 湿式化学

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (2)： レーザパルス ,  GaN