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J-GLOBAL ID：201102216040585608   Reference number：11A0612293

Microwave performance of ZnO/ZnMgO heterostructure field effect transistors

ZnO/ZnMgOヘテロ構造電界効果トランジスタのマイクロ波性能

Author (7)： SASA Shigehiko (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAITANI Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  FURUYA Yuto (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  AMANO Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  KOIKE Kazuto (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YANO Mitsuaki (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  INOUE Masataka (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
Material： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A.)
Volume： 208  Issue： 2  Page： 449-452  Publication year： Feb. 2011 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： zinc oxide ,  device structure ,  *FET ,  junction FET ,  *heterojunction ,  zinc compound ,  *magnesium compound ,  *microwave ,  MBE growth ,  laser deposition ,  field ,  cutoff frequency ,  hetero-structure
Semi thesaurus term： junction field effect transistor ,  velocity field ,  *zinc oxide

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： ZnO ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  マイクロ波