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J-GLOBAL ID：201102217195033705   Reference number：11A0181937

Threshold Voltage Fluctuation by Random Telegraph Noise in Floating Gate NAND Flash Memory String

浮遊ゲートNAND型フラッシュメモリストリングにおけるランダム電信雑音によるしきい値電圧揺らぎ

Author (7)： JOE Sung-Min (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YI Jeong-Hyong (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  PARK Sung-Kye (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  SHIN Hyungcheol (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Young June (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jong-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 58  Issue： 1  Page： 67-73  Publication year： Jan. 2011 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： voltage ,  *voltage fluctuation ,  *flash memory ,  *NAND circuit ,  *random noise ,  *floating gate ,  mutual conductance ,  low frequency noise(signal) ,  data writing ,  data erasing ,  1/f noise ,  data reading
Semi thesaurus term： threshold voltage ,  RTN

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： 浮遊ゲート ,  NAND ,  フラッシュメモリ ,  電信雑音 ,  しきい値 ,  電圧揺らぎ