Art

J-GLOBAL ID：201102222480673762   Reference number：11A0365479

Enhancing effect of tensile strain on photoluminescence of Er in Si on a SiGe layer

SiGe層のSi中のErのホトルミネセンスにおける引張変形率の増強効果

Author (8)： ISHIYAMA T ,  YOSHIDA M ,  YAMASHITA Y ,  KAMIURA Y ,  DATE T ,  HASEGAWA T ,  INOUE K ,  OKUNO K
Material： PHYSICA B-CONDENSED MATTER
Volume： 340  Page： 818-822  Publication year： 2003 
JST Material Number： O5336A  ISSN： 0921-4526  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： SiGe ,  Si ,  Er ,  ホトルミネセンス ,  引張変形 ,  増強