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J-GLOBAL ID：201102223090778292   Reference number：11A1327160

Floating Gate Memory With Biomineralized Nanodots Embedded in HfO₂

HfO₂中埋め込んだバイオミネラリゼーションによるナノドットを用いた浮遊ゲートメモリ

Author (7)： OHARA Kosuke (Nara Inst. Sci. and Technol., Ikoma, JPN) ,  TOJO Yosuke (Nara Inst. Sci. and Technol., Ikoma, JPN) ,  YAMASHITA Ichiro (Nara Inst. Sci. and Technol., Ikoma, JPN) ,  YAEGASHI Toshitake (Nara Inst. Sci. and Technol., Ikoma, JPN) ,  MONIWA Masahiro (Nara Inst. Sci. and Technol., Ikoma, JPN) ,  YOSHIMARU Masaki (Nara Inst. Sci. and Technol., Ikoma, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. Sci. and Technol., Ikoma, JPN)
Material： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Trans Nanotechnol)
Volume： 10  Issue： 3  Page： 576-581  Publication year： May. 2011 
JST Material Number： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *floating gate ,  microbial mineralization ,  *mineralization ,  *nanostructure ,  interposition ,  *hafnium oxide ,  *ferritin ,  *oxide film ,  nanorod ,  *memory characteristic ,  Biochemistry ,  chemical synthesis ,  retention time ,  thin film condenser ,  capacitance-voltage characteristic ,  MOSFET ,  data writing ,  data erasing ,  low temperature ,  *memory (computer) ,  biomineralisation ,  nanodot ,  charge retention ,  *conversion coating film
Semi thesaurus term： フローティングゲートメモリ ,  gate dielectric ,  MOS capacitor

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (4)： HfO2 ,  バイオミネラリゼーション ,  ナノドット ,  浮遊ゲート