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J-GLOBAL ID：201102224093554120   Reference number：11A0084772

Compound semiconductors grown on porous alumina substrate as a novel hydrogen permeation membrane

新奇な水素透過膜として多孔性アルミナ基板上で成長させた化合物半導体

Author (1)： SATO M
Material： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Volume： 298  Page： 64-68  Publication year： 2007 
JST Material Number： O3553A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： 水素透過膜 ,  多孔性 ,  アルミナ基板 ,  成長 ,  化合物半導体