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J-GLOBAL ID：201102224538945779   Reference number：11A1882515

Electrical property of CTAB/GaAs hetero-structures

CTAB/GaAsヘテロ構造の電気的特性

Author (3)： TAGUCHI MARI (日本女大 理) ,  OZAWA ATSUMI (日本女大 理) ,  IMAI HAJIME (日本女大 理)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 111  Issue： 236(OME2011 48-57)  Page： 31-35  Publication year： Oct. 07, 2011 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： quaternary ammonium ,  aliphatic amine ,  gallium arsenide ,  *heterojunction ,  electrical property ,  *junction diode ,  organic material ,  inorganic material ,  *electron affinity ,  current-voltage characteristic ,  device structure ,  band structure

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Substance index (1)： Cetyltrimethylammonium bromide

Reference (6)：

• CAMPANELLI, A. R. Hexa-decyl-trimethyl-ammonium Bromid. Acta Cryst., C. 1986, 42, 1380-1383
• IMAI, H. Current-voltage characteristics of organic materials similar to inorganic p-n homo-junction. IEICE Electronics Express. 2010, 7, 2, 105-111
• 川口優. C_<l6>TABで形成した有機材料の電気・光学特性. 信学会論文誌C. 2010, J94, 2, 45-52
• 田口真理. CTABで形成した有機半導体の光導電特性. 2010信学ソ大 (エレクトロニクス). 2010
• 鈴木陽子. CTABで形成した有機半導体の導電特性III. 2007信学ソ大 (エレクトロニクス). 2007

Terms in the title (4)： CTAB ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  電気的特性