Art

J-GLOBAL ID：201102225237263504   Reference number：11A0287856

第一原理分子動力学法によるシリコン原子空孔の電子状態解析

Author (6)： OGAWA TAKASHI (新潟大 大学院) ,  TSURUTA KENJI (岡山大 大学院) ,  IETOMI HIROSHI (新潟大 大学院) ,  NEMOTO YUICHI (新潟大 大学院) ,  KANETA HIROSHI (新潟大 物質量子セ) ,  GOTO TERUTAKA (新潟大 大学院)
Material： 分子シミュレーション討論会講演要旨集  (Book of Abstracts. International Conference on Molecular Simulation)
Volume： 24th  Page： 264-265  Publication year： Nov. 15, 2010 
JST Material Number： L1841A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *first principle ,  *molecular dynamics ,  *void (crystal) ,  *electronic state ,  interstitial atom ,  point defect ,  wave function ,  quadrupole moment ,  Elastic Modulus ,  plane wave ,  approximation method ,  pseudopotential method ,  density functional method ,  boundary condition ,  dangling bond ,  triplet ,  singlet ,  energy level ,  size effect ,  *silicon ,  *atomic vacancy ,  periodic boundary condition
Semi thesaurus term： silicon ,  LDA ,  periodic boundary condition ,  elastic constant ,  electric quadrupole moment

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： 第一原理分子動力学法 ,  シリコン ,  原子空孔 ,  電子状態 ,  解析