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J-GLOBAL ID：201102227971117758   Reference number：11A1514605

High hole carrier concentration realized by alternative co-doping technique in metal organic chemical vapor deposition

有機金属化学蒸着における新奇な同時ドーピング法による高濃度正孔キャリアの実現

Author (4)： AOYAGI Yoshinobu (Ritsumeikan Univ., Ritsumeikan Global Innovation Res. Organization, 1-1-1, Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (Ritsumeikan Univ., Ritsumeikan Global Innovation Res. Organization, 1-1-1, Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  IWAI Sohachi (Riken Inst., 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 561-0190, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (Riken Inst., 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 561-0190, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 99  Issue： 11  Page： 112110  Publication year： Sep. 12, 2011 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,  *doping ,  positive hole ,  carrier density ,  *aluminum compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  compound semiconductor ,  MOSFET ,  *light emitting diode ,  organomagnesium compound ,  precursor (substance) ,  co-doping ,  *deep-ultraviolet light-emitting diode ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： p-channel MOSFET ,  *aluminium gallium nitride

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Substance index (1)： Trimethyl gallium

Terms in the title (5)： 有機金属化学蒸着 ,  同時ドーピング ,  高濃度 ,  正孔 ,  キャリア