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J-GLOBAL ID：201102232076389207   Reference number：11A1442253

High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si (111)

Si(111)上に成長した高品質InAsおよびGaSb薄膜

Author (5)： GORJI GHALAMESTANI Sepideh (Solid State Physics Lund Univ., Box 118, SE-22100 Lund, SWE) ,  BERG Martin (Electrical and Information Technologies, Box 118, SE-22100 Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Solid State Physics Lund Univ., Box 118, SE-22100 Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Polymer and Materials Chemistry, Lund Univ., Box 124, SE-22100 Lund, SWE) ,  WERNERSSON Lars-erik (Electrical and Information Technologies, Box 118, SE-22100 Lund, SWE)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 332  Issue： 1  Page： 12-16  Publication year： Oct. 01, 2011 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,  *gallium antimonide ,  nanowire ,  temperature ,  flow rate ,  uptake ,  mobility(ratio) ,  carrier density ,  *thin film ,  *wafer ,  MOCVD ,  nucleation
Semi thesaurus term： gas flow rate ,  *silicon substrate ,  process ,  growing temperature ,  organometallic vapor phase epitaxy

JST classification (2)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： Si ,  成長 ,  高品質 ,  InAs ,  GaSb ,  薄膜