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J-GLOBAL ID：201102234901679950   Reference number：11A0598734

Low Current Consumption of Multiple-Valued SRAM Using Λ-Shaped Negative Resistance Devices

Λ形負性抵抗素子を用いた多値SRAMの低消費電流化

Author (3)： SAEKI KATSUTOSHI (日本大学理工学部) ,  SASAKI YOSHIKI (日本大学大学院理工学研究科) ,  SEKINE YOSHIFUMI (日本大学理工学部)
Material： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
Volume： 131  Issue： 3  Page： 528-534 (J-STAGE)  Publication year： 2011 
JST Material Number： S0810A  ISSN： 0385-4221  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *SRAM ,  *negative resistance ,  consumed electric power ,  *many-valued logic
Semi thesaurus term： decreasing of electric power

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (16)：

• (1) K. Ueda, K. Takasugi, T. Yamanaka, and K. Sasaki : “A 16Mb SRAM with A Single-Bit-Line Memory Cell”, Technical Report of IEICE, Vol. 93, No. 111, pp. 9-16 (1993) (in Japanese)
• (2) T. Mori, S. Nakamura, T. Inata, S. Muto, H. Tamura, and N. Yokoyama : “A SRAM Cell A Double-Emitter Resonant-tunneling Hot Electron Transistor Structure”, Technical Report of IEICE, Vol. 93, No. 12, pp. 55-62 (1993) (in Japanese)
• (3) T. Kimura and T. Oguri : “A New, 0.8V Logic Swing, 1.6V Operative High Speed BiCMOS Circuit”, Technical Report of IEICE, Vol. 93, No. 111, pp. 9-16 (1993) (in Japanese)
• (4) L. Esaki : “New phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions”, Phys. Rev., Vol. 109, No. 2, pp. 603-604 (1958)
• (5) L. L. Chang, L. Esaki, and R. Tsu : “Resonant tunneling in semiconductor double barriers”, Appl. Phys. Lett., Vol. 24, No. 12, pp. 593-595 (1974)

Terms in the title (5)： 形 ,  負性抵抗素子 ,  多値 ,  SRAM ,  低消費電流