Art

J-GLOBAL ID：201102235219554041   Reference number：11A1188480

Photoluminescence of the Quantum Well Structures

量子井戸構造半導体のフォトルミネッセンス特性

Author (5)： ESAKI MIYUKI (日本女大) ,  MOTOMURA ASAKO (日本女大) ,  KIRIHARA NATSUKI (日本女大) ,  SAITO YUKO (日本女大) ,  IMAI HAJIME (日本女大)
Material： 日本女子大学紀要 理学部  (Journal of Japan Women's University. Faculty of Science)
Issue： 19  Page： 13-18  Publication year： Mar. 31, 2011 
JST Material Number： L1955A  ISSN： 0919-1593  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *quantum well ,  *photoluminescence ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *indium phosphide ,  *indium gallium arsenide ,  *heterojunction ,  *polarized light ,  optical pumping
Semi thesaurus term： wavelength shift

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (2)： 量子井戸 ,  フォトルミネッセンス