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J-GLOBAL ID：201102235793547703   Reference number：11A1130289

Recent results on the physical origin of the degradation of GaN-based LEDs and lasers

GaNベースLEDとレーザの劣化の物理的起源に関する最近の結果

Author (8)： MENEGHINI M. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  TRIVELLIN N. (Panasonic Corp., JPN) ,  MENEGHESSO G. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  ORITA K. (Panasonic Corp., JPN) ,  TAKIGAWA S. (Panasonic Corp., JPN) ,  TANAKA T. (Panasonic Corp., JPN) ,  UEDA D. (Panasonic Corp., JPN) ,  ZANONI E. (Univ. Padova, Padova, ITA)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 7939  Page： 79390W.1-79390W.8  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor device ,  *light emitting diode ,  *degradation(alteration) ,  multiple quantum well ,  stress(mechanics) ,  aging treatment ,  *gallium nitride ,  efficiency ,  laser output ,  electric current ,  defect density ,  reliability(property) ,  *semiconductor laser
Semi thesaurus term： GAN ,  light emitting diode ,  aging ,  stress (mechanics) ,  slope efficiency ,  laser diode(device) ,  threshold current

JST classification (3)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Light emitting devices  (NC03082G) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (5)： GaN ,  LED ,  レーザ ,  物理 ,  起源