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J-GLOBAL ID：201102239284590727   Reference number：11A0341220

Analysis of N isotope depth profiles in search for reaction of implanted nitrogen with substrate near Si3N4-nitride-film and SiO2-glass-substrate interface

Si3N4窒化物膜周辺基質およびSiO2ガラス基質界面による注入窒素の反応検索のN同位体深さ特性の解析

Author (8)： MATSUNAMI N ,  MURASE T ,  TAZAWA M ,  NINAD S ,  FUKUOKA O ,  SHIMURA T ,  SATAKA M ,  CHIMI Y
Material： NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
Volume： 249  Page： 185-188  Publication year： 2006 
JST Material Number： O5033A  ISSN： 0168-583X  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (12)： Si3N4 ,  窒化物膜 ,  周辺 ,  基質 ,  SiO2 ,  ガラス ,  界面 ,  注入 ,  窒素 ,  検索 ,  同位体 ,  解析