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J-GLOBAL ID：201102243266146116   Reference number：11A0926933

Modeling of Reduced Surface Field Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor for Accurate Prediction of Junction Condition on Device Characteristics

素子特性への接合条件の正確な予測に対する減少した表面場横拡散金属酸化物半導体の模型化

Author (11)： SAITO Takashi (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  SAITO Takashi (Renesas Electronics Corp., Gunma, JPN) ,  TANAKA Akihiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HAYASHI Takuro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  KIKUCHIHARA Hideyuki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  KANAMOTO Toshiki (Renesas Electronics Corp., Gunma, JPN) ,  MASUDA Hiroo (Renesas Electronics Corp., Gunma, JPN) ,  MIYAKE Masataka (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  AMAKAWA Shuhei (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MATTAUSCH Hans J. (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIURA-MATTAUSCH Michiko (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 4,Issue 2  Page： 04DP03.1-04DP03.5  Publication year： Apr. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  diffusion in solid ,  drift(migration) ,  *modeling ,  *diffusion ,  bias ,  *high voltage
Semi thesaurus term： *lateral diffusion

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (23)：

• 1) C. Y. Tsar, T. Efland, S. Pendharkar, J. Mitros, A. Tessmer, J. Smith, J. Erdeljac, and L. Hutter: IEDM Tech. Dig., 1997, p. 367.
• 2) J. A. Apples and H. M. J. Vaes: IEDM Tech. Dig., 1979, p. 238.
• 3) Q. Li and Z. Li: presented at Power Electronics and Motion Control Conf., 2006.
• 4) S.-K. Chung: IEEE Trans. Electron Devices 47 (2000) 1006.
• 5) P. Hower, J. Lin, S. Haynie, S. Paiva, R. Shaw, and N. Hepfinger: Proc. The 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999, p. 55.

Terms in the title (5)： 素子特性 ,  予測 ,  横拡散 ,  金属酸化物半導体 ,  模型化