Art

J-GLOBAL ID：201102244791594932   Reference number：11A1851388

Monolithic 3-D Integration of SRAM and Image Sensor Using Two Layers of Single-Grain Silicon

2層の単一結晶粒シリコンを用いたSRAMとイメージセンサーのモノリシック3D集積化

Author (7)： DERAKHSHANDEH Jaber (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  GOLSHANI Negin (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ISHIHARA Ryoichi (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  TAJARI MOFRAD Mohammad Reza (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ROBERTSON Michael (Acadia Univ., Wolfville, CAN) ,  MORRISON Thomas (Acadia Univ., Wolfville, CAN) ,  BEENAKKER C. I. M. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 58  Issue： 11  Page： 3954-3961  Publication year： Nov. 2011 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *three dimension ,  *semiconductor integrated circuit ,  *SRAM ,  *image sensor ,  silicon ,  *excimer laser ,  *crystallization ,  crystal grain ,  *photodiode ,  pixel ,  data reading ,  scaling ,  PIN junction ,  current-voltage characteristic ,  quantum efficiency ,  transient response ,  N-type semiconductor ,  MOSFET ,  thin film transistor ,  noise margin

JST classification (2)： Image pickup and picture recording equipment  (ND12032E) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： 2層 ,  結晶粒 ,  シリコン ,  SRAM ,  イメージセンサー ,  3D集積化