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J-GLOBAL ID：201102247842121073   Reference number：11A1492539

SiO₂上に置かれた多層グラフェンの上面移動度と下面移動度の評価

Author (13)： NUKUI YOSUKE (筑波大 物理) ,  NUKUI YOSUKE (JST-CREST) ,  GOTO HIDENORI (筑波大 物理) ,  GOTO HIDENORI (JST-CREST) ,  TOMORI HIKARI (筑波大 物理) ,  TOMORI HIKARI (JST-CREST) ,  TOYOTA YUKINORI (筑波大 物理) ,  TOYOTA YUKINORI (JST-CREST) ,  OTSUKA YOICHI (筑波大 物理) ,  TSUKAGOSHI KAZUHITO (物質・材料研究機構) ,  TSUKAGOSHI KAZUHITO (JST-CREST) ,  KANDA AKINOBU (筑波大 物理) ,  KANDA AKINOBU (JST-CREST)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 72nd  Page： ROMBUNNO.31P-K-6  Publication year： Aug. 16, 2011 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon dioxide ,  *graphite ,  nanostructure ,  *mobility(ratio) ,  *interface(surface)

JST classification (2)： Crystal structure of inorganic compounds in general  (BK07001T) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： SiO2 ,  多層グラフェン ,  移動度 ,  評価