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J-GLOBAL ID：201102247902938775   Reference number：11A0191007

Polarization engineering in GaN power transistors

GaN電力トランジスタにおける偏光技術

Author (8)： UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  MURATA Tomohiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  NAKAZAWA Satoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIDA Hidetoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEMOTO Yasuhiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  INOUE Kaoru (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Tsuyoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Daisuke (Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
Material： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys)
Volume： 247  Issue： 7  Page： 1735-1739  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  Document type： Article
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (3)： GaN ,  電力トランジスタ ,  偏光