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J-GLOBAL ID：201102248514827941   Reference number：11A0797592

フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の解析(2)

Author (3)： ONODERA HIROSHI (芝浦工大 システム工) ,  NAKAJIMA ATSUSHI (芝浦工大 システム工) ,  HORIO KAZUSHIGE (芝浦工大 システム工)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 58th  Page： ROMBUNNO.27A-P9-3  Publication year： Mar. 09, 2011 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *HEMT ,  gallium nitride ,  aluminum compound ,  semiconductor material ,  *current-voltage characteristic ,  electric current ,  voltage ,  device structure ,  drain voltage
Semi thesaurus term： gate current ,  drain current ,  gate voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： フィールド ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  耐圧特性 ,  解析