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J-GLOBAL ID：201102248823179164   Reference number：11A0571853

Fabrication of Transparent and Flexible Organic Field-Effect Transistors with Solution-Processed Graphene Source-Drain and Gate Electrodes

溶液処理されたグラフェンソース-ドレイン並びにゲート電極を持つ透明,屈曲性有機電界効果トランジスタの製作

Author (4)： SUGANUMA Koichi (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  WATANABE Shunichiro (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  GOTOU Takuya (Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., Tokyo, JPN) ,  UENO Keiji (Saitama Univ., Saitama, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 2  Page： 021603.1-021603.3  Publication year： Feb. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electrode ,  gate (semiconductor) ,  drain (semiconductor) ,  source ,  *FET ,  polyimide ,  Hall mobility ,  organic semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *monolayer ,  nanostructure ,  *graphene
Semi thesaurus term： gate electrode ,  *OFET

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Reference (21)：

• GELINCK, G. Adv. Mater. 2010, 22, 3778
• KIM, S. Nano Lett. 2010, 10, 2884
• BAUDE, P. F. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3964
• ANDERSSON, P. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3074
• KLAUK, H. J. Appl. Phys. 2002, 92, 5259

Terms in the title (6)： 溶液処理 ,  ドレイン ,  ゲート電極 ,  屈曲性 ,  有機電界効果トランジスタ ,  製作