Art

J-GLOBAL ID：201102256494357768   Reference number：11A1594602

Interactions between Interface Traps in Electron Capture/Emission Processes: Deviation from Charge Pumping Current Based on the Shockley-Read-Hall Theory

電子の捕獲/放出過程における界面トラップ間の相互作用:Shockley-Read-Hall理論に基づくチャージポンピング電流からのずれ

Author (1)： TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 9  Page： 094104.1-094104.3  Publication year： Sep. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electron capture ,  MOS structure ,  *excitation(physics) ,  *theory ,  electron emission ,  *carrier capture
Semi thesaurus term： *Shockley-Read-Hall理論 ,  *interface trap ,  *charge pumping

JST classification (1)： Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Reference (19)：

• GROESENEKEN, G. IEEE Trans. Electron Devices. 1984, 31, 42
• GROESSENEKEN, G. V. IEEE Trans. Electron Devices. 1996, 43, 940
• SHOCKLEY, W. Phys. Rev. 1952, 87, 835
• HALL, R. N. Phys. Rev. 1952, 87, 387
• SAKS, N. S. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 1383

Terms in the title (9)： 電子 ,  捕獲 ,  放出 ,  過程 ,  界面トラップ ,  相互作用 ,  理論 ,  チャージ ,  ポンピング