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J-GLOBAL ID：201102265196778814   Reference number：11A1130260

Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AIAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates

高屈折率基板上のGaAs/AlAs結合多層共振器構造における効率的光周波数変換に基づく新しいテラヘルツ波放射素子

Author (5)： KITADA Takahiro (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TANAKA Fumiya (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TAKAHASHI Tomoya (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MORITA Ken (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  ISU Toshiro (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 7937  Page： 79371H.1-79371H.6  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,  aluminum arsenide ,  semiconductor material ,  *compound semiconductor ,  *optical resonator ,  *electromagnetic wave ,  Electromagnetic Radiation ,  reflector (electromagnetic) ,  multilayer film ,  laser excitation ,  laser pulse ,  polarized light ,  refractive index ,  sum frequency generation ,  frequency conversion ,  *terahertz wave
Semi thesaurus term： distributed Bragg reflector

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (8)： 高屈折率 ,  GaAs ,  AlAs ,  多層 ,  共振器 ,  光周波数変換 ,  テラヘルツ波 ,  放射素子