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J-GLOBAL ID：201102268904198059   Reference number：11A1223863

Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature

高温でアニールしたp型のAl注入4H-SiC上に形成した合金化Ti/Al/Ohm接触の構造及び輸送特性

Author (6)： FRAZZETTO A (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  FRAZZETTO A (Universita degli Studi di Catania, Catania, ITA) ,  GIANNAZZO F (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  LO NIGRO R (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RAINERI V (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  ROCCAFORTE F (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 44  Issue： 25  Page： 255302,1-9  Publication year： Jun. 29, 2011 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  polytype ,  titanium ,  aluminum ,  ion implantation ,  P-type semiconductor ,  *ohmic contact ,  heat treatment ,  electric resistance ,  carrier mobility ,  contact resistance ,  thermionic emission ,  potential barrier ,  surface quality ,  sheet resistance ,  metal-semiconductor junction

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (8)： アニール ,  Al ,  注入 ,  4H-SiC ,  合金化 ,  Ti ,  Ohm接触 ,  輸送特性