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J-GLOBAL ID：201102270151732868   Reference number：11A1393806

The Observation of “Conduction Spot” on NiO Resistance Random Access Memory

NiO抵抗ランダムアクセスメモリーにおける「伝導スポット」の観測

Author (9)： KONDO Hirofumi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ARITA Masashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUJII Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KAJI Hiromichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MONIWA Masahiro (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  YAMAGUCHI Takeshi (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  FUJIWARA Ichiro (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  YOSHIMARU Masaki (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  TAKAHASHI Yasuo (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 8,Issue 1  Page： 081101.1-081101.6  Publication year： Aug. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RAM ,  *nickel oxide ,  condenser (capacitor) ,  *filament ,  reproducibility ,  switching ,  refinement
Semi thesaurus term： *random access memory ,  伝導性フィラメント

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Reference (29)：

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• 5) H. Shima, F. Takano, H. Muramatsu, H. Akinaga, Y. Tamai, I. H. Inque, and H. Takagi: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 113504.

Terms in the title (5)： NiO ,  ランダムアクセスメモリー ,  伝導 ,  スポット ,  観測