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J-GLOBAL ID：201102273995555561   Reference number：11A1851652

300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier

InGaN背面障壁を有する300GHz InAlN/GaN HEMT

Author (6)： LEE Dong Seup (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  GAO Xiang (IQE RF LLC, NJ, USA) ,  GUO Shiping (IQE RF LLC, NJ, USA) ,  KOPP David (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  FAY Patrick (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 32  Issue： 11  Page： 1525-1527  Publication year： Nov. 2011 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *overlayer ,  aluminum compound ,  indium compound ,  gallium nitride ,  *HEMT ,  carrier mobility ,  voltage ,  *short channel effect ,  cutoff frequency ,  gain ,  indium aluminium nitride ,  electron mobility ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： *barrier layer ,  current gain

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： InGaN ,  背面 ,  障壁 ,  InAlN ,  GaN ,  HEMT