Art

J-GLOBAL ID：201102274771532180   Reference number：11A0146652

Milestones Achieved in IGBT Development over the Last 25 Years (1984~2009)

四半世紀にわたるIGBT開発の軌跡(1984年~2009年)

Author (1)： TOKURA NORIHITO ((株)デンソー,幸田製作所,デバイス開発部)
Material： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
Volume： 131  Issue： 1  Page： 1-8 (J-STAGE)  Publication year： 2011 
JST Material Number： X0451A  ISSN： 0913-6339  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *IGBT ,  *latchup ,  power transistor ,  power electronics ,  technical history ,  *technological review ,  dielectric strength ,  driving circuit
Semi thesaurus term： IEGT

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (87)：

• (1) http://www2.iee.or.jp/ver2/honbu/30-foundation/data07/press/press3-all.pdf
• (2) http://www.ieee.org/about/awards/tfas/newell.html
• (3) “Power Semiconductor Devices Driving the World”, IEEJ, The Book Plan Editing Committee of IGBT (Dec. 25, 2008) (in Japanese)
• 「世界を動かすパワー半導体—IGBTがなければ電車も自動車も動かない—」, 電気学会, IGBT図書企画編集委員会, p. i, 130, 138, 152, 153, 186 (2008-12-25)
• (4) H. W. Becke and C. F. Wheatley: “Power MOSFET with an Anode Region”, US Pat. 4364073 (Dec. 14, 1982)

Terms in the title (3)： IGBT ,  開発 ,  軌跡