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J-GLOBAL ID：201102276235517022   Reference number：11A0908654

高純度II型シリコンクラスレートの合成

Author (13)： OGURA TAKUYA ,  SUZUKI TAKATOSHI ,  BABA TATSUYA ,  KOKETSU RYUZO ,  HIMENO ROTO ,  OHASHI FUMITAKA ,  BAN TAKAYUKI ,  OYA YUTAKA ,  KUME TETSUJI ,  NATSUHARA HIRONORI ,  NONOMURA SHUICHI ,  IIDA TAMIO ,  HABUCHI HITOE
Material： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
Volume： 91st  Issue： 3  Page： 1055  Publication year： Mar. 11, 2011 
JST Material Number： S0493A  ISSN： 0285-7626  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： chemical synthesis ,  molecular structure ,  *clathrate compound ,  *silicon compound ,  band gap ,  solar cell ,  high purity material ,  cage effect ,  heat treatment ,  X-Ray Diffraction ,  wide band gap semiconductor
Semi thesaurus term： *clathrate compound ,  wide band-gap semiconductor

JST classification (1)： Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D)

Terms in the title (2)： 高純度 ,  シリコンクラスレート