Art

J-GLOBAL ID：201102277553677795   Reference number：11A1190465

Si Nanodot Device Fabricated by Thermal Oxidation and Their Applications

熱酸化により作製したSiナノドット素子及びその応用

Author (9)： TAKAHASHI Yasuo (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  JO Mingyu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KAIZAWA Takuya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KATO Yuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ARITA Masashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUJIWARA Akira (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  ONO Yukinori (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  INOKAWA Hiroshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  CHOI Jung-Bum (Chungbuk National Univ., Chungbuk, KOR)
Material： Key Engineering Materials  (Key Eng Mater)
Volume： 470  Page： 175-183  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0744C  ISSN： 1013-9826  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *nanostructure ,  *array ,  nanowire ,  SOI structure ,  adder
Semi thesaurus term： silicon ,  *nanodot ,  nano-dot array ,  多重ドット ,  二重ドット ,  三重ドット ,  半加算器 ,  full adder

JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 熱酸化 ,  作製 ,  Si ,  ナノドット ,  応用