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J-GLOBAL ID：201102280102147165   Reference number：11A1063447

Low-Temperature (~250°C) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator

絶縁体上の非晶質Geの低温(~250°C)での銅誘起横方向結晶化

Author (7)： SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (JSPS, Tokyo, JPN) ,  HAGIHARA Takashi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOKO Kaoru (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOKO Kaoru (JSPS, Tokyo, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochem Solid-State Lett)
Volume： 14  Issue： 7  Page： H274-H276  Publication year： 2011 
JST Material Number： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous state ,  thermal oxidation ,  insulating material ,  *Germanium ,  substrate (plate) ,  *Copper ,  metallic thin film ,  molecular beam ,  *crystallization ,  *crystal growth ,  annealing (heat treatment) ,  thin film transistor ,  catalytic activity ,  electron beam deposition ,  optical microscope ,  Raman spectrum ,  temperature dependence ,  transmission electron microscope ,  rate of crystallization ,  induction ,  silicon dioxide ,  insulator ,  metal induced crystallization
Semi thesaurus term： silica

JST classification (3)： Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Solid phase transitions  (BL04020G)

Terms in the title (8)： 絶縁体 ,  非晶質 ,  Ge ,  低温 ,  銅 ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化