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J-GLOBAL ID：201102283210041658   Reference number：11A1122237

Fabrication of Electrostatic-actuated Single-crystalline 4H-SiC Bridge Structures by Photoelectrochemical Etching

光電気化学エッチングによる静電駆動単結晶4H-SiC橋構造の作製

Author (3)： WATANABE Naoki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 7926  Page： 79260B.1-79260B.6  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： etching ,  electrochemistry ,  *silicon carbide ,  *MEMS ,  *drive ,  static electricity ,  micromachining ,  ion implantation ,  PNP junction ,  epitaxy ,  RIE
Semi thesaurus term： *4H-SiC ,  光電気化学エッチング ,  *electrostatic drive

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 光電気化学エッチング ,  静電駆動 ,  単結晶 ,  4H-SiC ,  作製