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J-GLOBAL ID：201102284403108713   Reference number：11A0796338

新規n型Mn₃Si₄Al₃系材料の相及び微細組織が熱電性能に及ぼす影響

Author (6)： TANAKA HIDEAKI (産業技術総合研) ,  TAKEUCHI TOMONARI (産業技術総合研) ,  MATSUMURA YOKO (産業技術総合研) ,  FUNAHASHI RYOJI (産業技術総合研) ,  FUNAHASHI RYOJI (TESニューエナジー) ,  NOMURA TETSUO (TESニューエナジー)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 58th  Page： ROMBUNNO.25P-KE-7  Publication year： Mar. 09, 2011 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thermoelectric material ,  *thermoelectromotive force ,  P-type semiconductor ,  N-type semiconductor ,  *semiconductor material ,  alloying ,  X-Ray Diffraction ,  electrical resistivity ,  electrical conductivity ,  Seebeck coefficient ,  modification

JST classification (1)： Thermoelectric devices  (NC03090J)

Terms in the title (1)： 微細組織