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J-GLOBAL ID：201102284580573256   Reference number：11A1180048

Hybrid Isolation Process with Deep Diffusion and V-Groove for Reverse Blocking IGBTs

逆方向阻止IGBT用深部拡散とV形溝を用いた混成分離プロセス

Author (6)： NAKAZAWA Haruo (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  OGINO Masaaki (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  WAKIMOTO Hiroki (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  NAKAJIMA Tsunehiro (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  TAKAHASHI Yoshikazu (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  LU David Hongfei (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 23rd  Page： 116-119  Publication year： 2011 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *IGBT ,  *isolation(IC) ,  boron ,  *impurity diffusion ,  thermal diffusion ,  *grooving(machining) ,  wafer ,  etching ,  current-voltage characteristic ,  leakage current ,  clamping circuit ,  inverter ,  *reverse direction
Semi thesaurus term： V-groove ,  neutral point clamp

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： 阻止 ,  IGBT ,  深部 ,  拡散 ,  V形溝 ,  分離プロセス