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J-GLOBAL ID：201102285563300366   Reference number：11A0797412

SOI基板を用いたトンネルFETの作製と評価

Author (8)： MORI TAKAHIRO (産総研 GNC) ,  YASUDA TETSUJI (産総研 GNC) ,  FUKUDA KOICHI (産総研 GNC) ,  OUCHI SHIN'ICHI (産総研 GNC) ,  LIU Yongxun (産総研 GNC) ,  SAKAMOTO KUNIHIRO (産総研 GNC) ,  MASAHARA MEISHOKU (産総研 GNC) ,  OTA HIROYUKI (産総研 GNC)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 58th  Page： ROMBUNNO.26P-KD-9  Publication year： Mar. 09, 2011 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： FET ,  *SOI structure ,  substrate(plate) ,  threshold ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： *トンネルFET ,  *subthreshold ,  on-off ratio

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： SOI基板 ,  トンネルFET ,  作製 ,  評価