Art

J-GLOBAL ID：201102293030435688   Reference number：11A1905955

Polyhedral Topological Crystals

多面体トポロジー結晶

Author (4)： TSUBOTA Masakatsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  INAGAKI Katsuhiko (Asahikawa Medical Univ., Asahikawa, JPN) ,  MATSUURA Toru (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TANDA Satoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Crystal Growth & Design  (Cryst Growth Des)
Volume： 11  Issue： 11  Page： 4789-4793  Publication year： Nov. 2011 
JST Material Number： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *tantalum compound ,  *sulfide (chalcogenide) ,  polyhedron ,  *ring structure ,  *vapor phase growth ,  chemical transport ,  *void (crystal) ,  crystallinity ,  facet ,  flatness (property) ,  *electron diffraction ,  crystal orientation ,  crystal grain size ,  topology ,  edge dislocation ,  *tantalum sulfide
Semi thesaurus term： *backscattered electron diffraction

JST classification (3)： Solid-gos interface in general.  (CB12041H) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (3)： 多面体 ,  トポロジー ,  結晶