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J-GLOBAL ID：201102293582640820   Reference number：11A1069147

Evidence of a Novel Source of Random Telegraph Signal in CMOS Image Sensors

CMOSイメージセンサにおけるランダム電信信号の新発生源の証拠

Author (5)： GOIFFON V. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  MAGNAN P. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  MARTIN-GONTHIER P. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  VIRMONTOIS C. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  GAILLARDIN M. (CEA, Arpajon, FRA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 32  Issue： 6  Page： 773-775  Publication year： Jun. 2011 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *image sensor ,  random signal ,  *dark current ,  noise generation ,  current fluctuation ,  isolation (IC) ,  exposure radiation dose ,  surface level ,  pixel ,  low frequency noise (signal) ,  *CMOS Image Sensor
Semi thesaurus term： STI

JST classification (1)： Image pickup and picture recording equipment  (ND12032E)

Terms in the title (4)： CMOSイメージセンサ ,  電信 ,  発生源 ,  証拠