Art

J-GLOBAL ID：201102298897894610   Reference number：11A0430363

XPS study of silicon surface after ultra-low-energy ion implantation

超低エネルギーイオン注入後のシリコン表面のXPS観察

Author (2)： YAMAMOTO K ,  ITOH H
Material： SURFACE SCIENCE
Volume： 600  Issue： 18  Page： 3753-3756  Publication year： 2006 
JST Material Number： O6289A  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： 低エネルギーイオン ,  注入 ,  シリコン ,  XPS ,  観察