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J-GLOBAL ID：201103000672103138

シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法

Inventor：
大槻 剛

About 大槻 剛


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009141232
Publication number (International publication number)：2010287778
Application date： Jun. 12, 2009
Publication date： Dec. 24, 2010
Summary：
【課題】CL法の感度を向上させてシリコン基板を評価することで、デバイス活性領域の点欠陥を精密に非破壊検査により評価することができるシリコン基板の評価方法、及びその評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板表面にPN接合を作製し、PN接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うシリコン基板の評価方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも、シリコン基板表面にPN接合を作製し、該PN接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、該電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うことを特徴とするシリコン基板の評価方法。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01N 23/225
FI (3)：
H01L21/66 N ,  H01L21/66 Y ,  G01N23/225
F-Term (17)：
2G001AA03 ,  2G001BA01 ,  2G001CA07 ,  2G001EA03 ,  2G001GA01 ,  2G001JA14 ,  2G001JA15 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106AB11 ,  4M106BA02 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19 ,  4M106DH45 ,  4M106DJ38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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