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J-GLOBAL ID：201103001254846805

逆コンプトン散乱を用いたX線発生装置及び方法

Inventor： 清 紀弘 ,  小川 博嗣
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010110956
Publication number (International publication number)：2011238546
Application date： May. 13, 2010
Publication date： Nov. 24, 2011
Summary：

【課題】電子ビームと自由電子レーザーとの逆コンプトン散乱の衝突点を増大させて高収量のX線を発生させ、準単色性を有するX線の発生することができるX線発生装置及び方法を実現する。【解決手段】本発明の逆コンプトン散乱を用いたX線発生装置は、加速器と、加速器内で電子ビーム軌道を挟むと共に周期的な磁場を発生するアンジュレータと、光共振器を備え、電子バンチのバンチ間隔がアンジュレータの周期磁場の周期長の偶数倍であるように設定して、前記アンジュレータ内で、自由電子レーザー光と電子ビームとを衝突させてレーザー逆コンプトン散乱X線を発生させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

逆コンプトン散乱を用いたX線発生装置であって、 加速器内で電子ビーム軌道を挟むと共に周期的な磁場を発生するアンジュレータを備え、 電子バンチのバンチ間隔がアンジュレータの周期磁場の周期長の偶数倍であるようにして、前記アンジュレータ内で、自由電子レーザー光と電子ビームとを衝突させてレーザー逆コンプトン散乱X線を発生させることを特徴とするX線発生装置。

IPC (2)：

H05G 2/00 ,  G21K 1/00

FI (2)：

H05G1/00 L ,  G21K1/00 X

F-Term (4)：

4C092AA03 ,  4C092AB21 ,  4C092BD16 ,  4C092BD20