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J-GLOBAL ID：201103001905504142

電界効果型有機トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 高嶋 授 ,  永松 秀一 ,  森口 哲次 ,  溝口 勝大 ,  岡内 辰夫 ,  金藤 敬一 ,  早瀬 修二
Applicant, Patent owner： 国立大学法人九州工業大学
Agent (1)： 大川 譲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009205879
Publication number (International publication number)：2011060828
Application date： Sep. 07, 2009
Publication date： Mar. 24, 2011
Summary：

【課題】無機半導体で導入されているHEMT構造素子で用いられているキャリア誘起の機能を電界効果型有機トランジスタに適用して、半導体層に無機材料を用いること無く、簡易にトランジスタ性能を向上させる。【解決手段】有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合する。有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時に、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

有機半導体層の一方の側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、かつ前記有機半導体層の他方の側にソース電極及びドレイン電極が互いに分離して形成される電界効果型有機トランジスタにおいて、 前記有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合し、 前記有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、前記ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時にだけ、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択されることから成る電界効果型有機トランジスタ。

IPC (8)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (8)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 310A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/80 H

F-Term (35)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ02 ,  5F102HC11 ,  5F110AA01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-379536   Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
• 有機電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-032309   Applicant：住友化学株式会社
• 有機電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-069485   Applicant：セイコーエプソン株式会社, 国立大学法人大阪大学
• 有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子及び有機半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-181167   Applicant：住友化学株式会社
• 導電性高分子並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-049119   Applicant：三菱化学株式会社, 株式会社リコー
• 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-534546   Applicant：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• “チオフェン側鎖を有する新規半導体化合物”
• “キャリア誘起層を導入したピレン系有機FETの性能向上”
• “ピレン誘導体を用いたp-OFETの長期間大気安定性”