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J-GLOBAL ID：201103005306919992

エレクトレット及びその製造方法並びにエレクトレットを備える静電誘導型変換素子

Inventor： 鈴木 雄二 ,  萩原 啓 ,  後藤 正英 ,  田島 利文 ,  樹所 賢一 ,  安野 功修 ,  児玉 秀和
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学 ,  日本放送協会 ,  リオン株式会社 ,  財団法人小林理学研究所
Agent (3)： 在原 元司 ,  清水 昇 ,  竹居 信利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009237419
Publication number (International publication number)：2011087384
Application date： Oct. 14, 2009
Publication date： Apr. 28, 2011
Summary：

【課題】基材表面に対して垂直に形成され,微少な間隙を介して対向配置されたエレクトレット及びその製造方法並びにエレクトレットを備える静電誘導型変換素子を提供する。【解決手段】単一の基材10から形成され、間隔gの間隙を介して対向配置された基材10の表面に垂直な加工面には絶縁材料層12が形成されている。また、二つの基材10は絶縁材料層12が形成された面に略平行に移動可能に保持されている。ここで、上記間隙の一つの開口から軟X線照射装置16により軟X線を照射し、間隙中に存在する酸素、窒素等の空気中の成分をイオン化し、発生した正イオンと負イオンとを、上記基材10の間にバイアス電圧源18により印加したバイアス電圧により、基材10の表面に形成された絶縁材料層12に引き寄せ、絶縁材料層12の表面付近に注入してエレクトレットを形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

単一の基材に形成され、所定の間隔以内の間隙を介して対向する、前記基材の表面に垂直な対向面と、 前記対向面に形成された絶縁材料層と、 前記絶縁材料層の表面付近に注入された電荷と、 を備え、 前記間隙の深さをh、前記間隙の間隔をg、前記対向する面に直交する方向における前記基材の幅をWとすると、g≦200μm、h>2g、W≧h、であることを特徴とするエレクトレット。

IPC (1)：

H02N 1/00

FI (1)：

H02N1/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 制振装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-289322   Applicant：三洋電機株式会社
• エレクトレット体の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-293501   Applicant：日本バイリーン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 振動発電器のための垂直エレクトレット膜への軟X線荷電に関する研究
• Low-Resonant-Frequency Micro Electret Generator for Energy Harvesting Application