Pat

J-GLOBAL ID：201103005424505051

原子層堆積プロセス

Inventor： ダメロン,アレレイン
Applicant, Patent owner： エイチシーエフ パートナーズ リミテッド パートナーシップ
Agent (1)： 浜田 治雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010533167
Publication number (International publication number)：2011503876
Application date： Oct. 30, 2008
Publication date： Jan. 27, 2011
Summary：

本発明は第1および第2物質からなる基板の表面を原子層堆積プロセスを用いて保護物質の薄膜で選択的に被覆する方法を与える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面が伝導性領域と非伝導性領域からなる基板の非伝導性領域を表面被覆する方法で、前記の方法が被覆物質による原子層堆積プロセスを用いて基板表面の非伝導性領域上に薄膜を選択的に形成するために十分な条件下で薄膜を形成することからなる方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (4)：

H01L21/316 X ,  C23C16/44 A ,  C23C16/40 ,  H01L21/90 K

F-Term (22)：

4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA43 ,  4K030BB14 ,  4K030CA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F033HH11 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ03