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J-GLOBAL ID：201103006619269863
半導体集積回路装置の配線接続構造およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1991076544
Publication number (International publication number)：1992311058
Patent number：2533414
Application date： Apr. 09, 1991
Publication date： Nov. 02, 1992
Claim (excerpt)：
【請求項1】 多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、第1のアルミニウム配線層と、前記第1のアルミニウム配線層の表面に形成された、高融点金属、高融点金属・化合物、高融点金属・シリサイドまたはアモルファスシリコンのうち少なくとも1つを含む表面層と、前記表面層の上に形成され、前記表面層の表面に達する貫通孔を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記表面層に電気的に接続された第2のアルミニウム配線層とを備え、前記第2のアルミニウム配線層は、前記貫通孔を通じて前記表面層の表面に接触するように前記絶縁層の上に形成されたチタン層と、前記チタン層の上に形成されたチタン化合物層と、前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム層とを含む、半導体集積回路装置の配線接続構造。
IPC (1)：
FI (1)：
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