Pat
J-GLOBAL ID:201103009473183235
多孔質体の焼結過程のシミュレーション方法およびプログラム
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 誠一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010051308
Publication number (International publication number):2011184239
Application date: Mar. 09, 2010
Publication date: Sep. 22, 2011
Summary:
【課題】多孔質体の焼結過程を最初から最後まで正確にシミュレーションすることができるシミュレーション方法を提供する。【解決手段】シミュレーション装置1は、各面の四方が円柱で囲まれた立方体の形状を有するユニットセルの集合体を多孔質体のモデルとして仮定したSchererモデル、またはM-Sモデルを用いて、多孔質体の焼結速度を算出し、算出した焼結速度に基づいて、塑性変形の項、焼結収縮の項、および自重の項を含む有限要素方程式の解を算出し、算出した有限要素方程式の解に基づいて、多孔質体の変化量を算出することを所定の計算時間刻みによって所定の終了条件を満たすまで繰り返す。【選択図】図5
Claim (excerpt):
多孔質体の焼結過程のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、
各面の四方が円柱で囲まれた立方体の形状を有するユニットセルの集合体と仮定した第1の焼結モデルを用いて、多孔質体の焼結速度を算出する第1の算出ステップと、
前記第1の算出ステップにおいて算出した焼結速度に基づいて、塑性変形の項、焼結収縮の項、および自重の項を含む有限要素方程式の解を算出し、算出した有限要素方程式の解に基づいて、多孔質体の変化量を算出する第2の算出ステップと、
を所定の計算時間刻みによって所定の終了条件を満たすまで繰り返すことを特徴とするシミュレーション方法。
IPC (3):
C04B 38/00
, C04B 35/64
, C04B 35/622
FI (3):
C04B38/00 304Z
, C04B35/64 Z
, C04B35/00 E
F-Term (7):
4G019GA04
, 4G030AA00
, 4G030CA00
, 4G030CA04
, 4G030CA07
, 4G030CA09
, 4G030GA23
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
ゾルゲル法による高屈折率ガラスの作製とそれを用いた光ファイバプロセスメカニズムに関する研究, P.76、P.78、P.79、P.195
Cited by examiner (2)
-
ゾルゲル法による高屈折率ガラスの作製とそれを用いた光ファイバプロセスメカニズムに関する研究, P.76、P.78、P.79、P.195
-
ゾルゲル法による高屈折率ガラスの作製とそれを用いた光ファイバプロセスメカニズムに関する研究, P.76、P.78、P.79、P.195
Return to Previous Page