Pat
J-GLOBAL ID:201103010097387299
薄膜トランジスタ搭載基板、その製造方法及び画像表示装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉村 俊一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009150782
Publication number (International publication number):2011009415
Application date: Jun. 25, 2009
Publication date: Jan. 13, 2011
Summary:
【課題】活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。【解決手段】プラスチック基板10の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜13を形成する工程と、少なくとも活性層となる部分のアモルファス酸化物薄膜13に向けてパルスレーザー20を照射する工程とを少なくとも有する。パルスレーザー20の照射工程は、プラスチック基板10に該プラスチック基板のガラス転移温度以上の温度を一定時間加えず、且つアモルファス酸化物薄膜13をアモルファス相のままで所定の比抵抗に制御する工程である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
プラスチック基板の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜を形成する工程と、
少なくとも活性層となる部分のアモルファス酸化物薄膜に向けてレーザーを照射する工程と、を少なくとも有し、
前記レーザー照射工程は、前記プラスチック基板に該プラスチック基板のガラス転移温度以上の温度を一定時間加えず、且つ前記アモルファス酸化物薄膜をアモルファス相のままで所定の比抵抗に制御する工程であることを特徴とする薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法。
IPC (5):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136
, H01L 51/50
, H05B 33/02
FI (6):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 627F
, H01L29/78 626C
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H05B33/02
F-Term (80):
2H092JA25
, 2H092JA26
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA08
, 2H092MA29
, 2H092MA30
, 2H092NA21
, 2H092PA01
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC43
, 3K107CC45
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107DD18
, 3K107DD19
, 3K107EE04
, 3K107HH05
, 5F110AA14
, 5F110AA17
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD06
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD24
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK17
, 5F110HK32
, 5F110HL02
, 5F110HL04
, 5F110HL07
, 5F110HL09
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110PP03
, 5F110PP10
, 5F110PP11
, 5F110PP31
, 5F110QQ10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-271316
Applicant:キヤノン株式会社
-
特開平3-181120
Return to Previous Page